NTC热敏芯片因其电阻值随温度变化而变化的特点，被广泛应用于温度监测、温度控制、温度补偿等各种场合，在IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中担任举足轻重的角色。IGBT因其具备高输入阻抗、低导通压降的优点，目前已成为发展迅速的电力电子器件之一，并逐步替代晶体闸流管和门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor）。IGBT具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高 (10-40 kHz) 等特点，被广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。

IGBT是由栅极（G）、发射极（E）和集电极（C）三个极控制。其工作原理是通过加正向栅极电压以形成沟道，给PNP（Plug-and-Play，即插即用）晶体管提供基极电流，使IGBT导通；反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。如果在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET，Metal Oxide Semiconductor Filed Effect Transistor）便会导通，而PNP晶体管的集电极与基极之间成为低阻状态，使得晶体管导通。如果IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，金属氧化物半导体场效应晶体管便会导通便会被截，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

如果IGBT栅极与发射极之间的驱动电压过低，会导致IGBT工作不稳定；如果驱动电压过高，甚至超过栅极—发射极之间的耐压，则有机会导致IGBT永久损坏。同样，如果IGBT集电极与发射极之间的电压超过允许值，则流过IGBT的电流会超限，导致IGBT的结温超过允许值，也会有机会导致IGBT永久损坏。此时，我们就需要用到指针式万用表来判断IGBT是否受损。具体的操作如下：

首先，将万用表拨到R×10KΩ档（R×1KΩ档时，内部电压过低，不足以使IGBT导通），用黑表笔接IGBT的集电极（C），红表笔接IGBT的发射极（E），此时万用表的指针在零位；

然后，用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT被触发导通，万用表的指针明显摆动并指向阻值较小的方向并能维持在某一位置；

接着，再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT被阻断，万用表的指针回零。

在检测中，如出现以上现象均表示IGBT并无受损，否则该IGBT存在问题。

伟德betvlctor最新版本生产的IGBT用高可靠NTC热敏芯片，因其耐高温、高精度（精度可达±0.5%、±1%、±2%、±3%）、快速反应等特点，在IGBT模块中起到不可或缺的作用。

参考数据：

微信公众号 电子电路设计《IGBT场效应管的工作原理以及极性判断、好坏判断方法》