IGBT，作为新能源电动汽车电气控制、高铁电机控制器、高压变频的核心部件，被称为电力电子行业里的“CPU”。小到消费电子、家电，大到飞机、舰船、轨道交通、智能电网等战略性产业，都需要IGBT模块的参与。伟德betvlctor最新版本生产的高精度银电极NTC热敏芯片，因其高灵敏、快速反应的特点，被用于IGBT模块的温度监测和温度控制。

因IGBT既有金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET，Metal-Oxide -Semiconductor Field Effect Transistor）高输入阻抗的优点，又有双极结晶体管（BJT，Bipolar Junction Transistor）低导通压降的优点，因此其被视为用低电压控制高电压通断的高速开关。IGBT的开关速度很快，可达微秒（us），而且驱动功率小，通常15V左右的控制电压就可以驱动。

目前，高压IGBT的研制水平为（600~1200）A/6500V，其工作频率为（18~20）kHz，而且随着发展电压等级越来越大。换言之，可以用15V的电压来控制上千伏的电压通断，通断频率可达10KHz以上。该特性使IGBT被广泛应用于电机驱动、调频、逆变电路、开关控制等，并成为工业生产、运输、轨道交通电机中的主角。

IGBT因其独特的特性，被常用于逆变、变频电路。

一、PWM变频电路

PWM脉宽调制，是靠改变脉冲宽度来控制输出电压，通过改变周期来控制其输出频率。静音式变频调速系统（SPWM，Silent Pulse Width Modulation）波形就是脉冲宽度按正弦规律变化而和正弦波等效的PWM波形。这个脉冲波就需要IGBT、MOS管等晶体管产生。

二、多电平逆变、变频电路

通过将IGBT布置为多种形式的拓扑结构，可以实现将直流电转为交流电，交流电频率实现可控可调。逆变电路中最为常见的是两电平、三电平电路。高压变频器常用三电平方案，IGBT有三种状态：

1、输出为正（P）

2、输出为0（不导通）

3、输出为负（N）

银电极IGBT用NTC热敏芯片，精度可达±0.5%、±1%、±2%、±3%，工作温度范围为-50℃~+200℃。NTC芯片具有良好的耐热循环能力和快速响应时间短的特点，使IGBT模块在高温工作中，依然能保持良好的稳定性和可靠性。

参考数据：

科慧智控学习圈 《IGBT——电力行业里的“CPU”》