伟德betvlctor最新版本专注于IGBT用NTC热敏电阻芯片的研发和生产已经13年了，我司采用先进的半导体制程，确保了热敏电阻芯片的高精度、高可靠、高灵敏。

IGBT集双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）及金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）的优点于一身，既有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，又有MOSFET的开关速度快、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点。因此，IGBT在高压、大电流、高速等方面是其他功率半导体器件不可比拟的，其是电力电子领域仲较为理想的开关器件，也是未来应用发展的主要方向。

从20世纪80年代至今，IGBT芯片经历了第五代至第六代的产品升级，从平面穿通型（PT）到沟槽型电场—截止型（FS-Trench），各方面的指标都得到了不断的优化。芯片面积缩小为最初的四分之一，工艺线宽从5微米降到了0.5微米，通态饱和压降从3伏降到了1伏，关断时间也变得更快，从0.5微秒降到了0.15微秒，功率损耗也更低，断态电压也从600V提高到了6500V以上。

根据中国产业信息网的数据，全球前五大IGBT厂商的市场份额合计达74%，同时，从400V及以下的常规IGBT市场到4500V以上的高端IGBT市场，海外厂商的IGBT产品的市场优势地位均十分明显。从低、中、高压IGBT市场来看，大部分的厂商都提供600~1300V中压范围内的IGBT分立和模块解决方案，只有少数厂商专门从事低压分立IGBT市场。

IGBT产业链一共可以分为四部分，芯片设计、芯片制造、模块设计以及制造封闭性测试。其中，芯片设计和模块设计以及工艺设计都有非常高的技术壁垒，需要真正专业化的研发团队和长时间的技术积累。近几年中国IGBT产业在国家政策推动和市场牵引下得到迅速发展，产业链逐步完善。从我国IGBT企业目前的竞争局面来看，制造和封测模组环节竞争力较强，以三大半导体厂商为主导的晶圆代工制造企业已经具备了8~12寸IGBT芯片生产的技术，并积极推进国产制造端的升级。但是在芯片设计端相对薄弱，只有少数的几家公司具备竞争力。与集成电路相比，功率半导体也同样存在集成元件制造商（IDM，Integrated Device Manufacturer）和无晶圆厂（Fab-less）两种经营模式。

参考数据：

深度行业研究乐晴智库精选《IGBT：功率半导体核心元器件》