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IGBT的技术分析
发布者 : admin 发布时间 : 2022/01/13 09:01:11


目前,驱动器的发展趋势是高度集成化,这样可以减小驱动器的体积,并且与IGBT模块更为紧密地结合,使其安装更方便,减小驱动器与IGBT模块之间的连接线长度,减小引线电感。为了实现这一目标,目前国外很多知名企业开发的IGBT驱动模块都采用了自主研发的专用集成电路(ASIC,Application Specific Integrated Circuit)。通过专用集成电路的应用,可以将大部分的控制和保护功能用IC来实现,极大地减小了驱动器的体积和增加了IGBT驱动器的可靠性。

而在IGBT用户接口方式上,为了适应不同的厂商封装的IGBT模块,IGBT驱动器必须具有友好的用户接口,同时还要具有广泛的灵活性和合理的经济成本。目前,市场上常见的驱动模块主要是采用焊接在PCB板的方式,以更好地来实现与IGBT的连接。

由于驱动模块(驱动芯)只提供驱动器中最重要的通用功能,因此它在不同的应用中与不同模块的连接需要依靠接口板来完成。整个模块—驱动单元包括了一个具有弹簧接口的功率模块、一个标准版或增强版驱动芯以及连接驱动芯到指定模块的接口板。可以用户化的接口板有一个突出的优点,就是用户可以自己调整并决定IGBT的开关特性。例如,通过调整Rgon(Rg+)或Rgoff(Rg-)来改变IGBT开通或关断的速度;调整死区时间或禁止互锁功能;调整饱和电压(Vce,Saturation Voltage)保护点和窗口时间等。与目前市场上的智能功率模块IPM相比较,接口板使得整个系统变得更加灵活,更易于适应不同的应用。而一旦系统参数被设定后,整个系统可以如同IPM一样使用方便。

而IGBT的短路或过流保护及门限调节,当前普遍采用的方式是通过检测饱和电压的电压值来实现。当IGBT出现短路或过流时,其工作区将退出饱和区而使饱和电压升高,通过二极管与IGBT的集电极相连来实现IGBT的欠饱和检测。饱和电压升高将相应地使串联二极管的阳极电位升高,当超过设定的短路门限时保护电路动作,关断IGBT。由于IGBT在开通初期的集电极电压比较高,如果此时保护电路工作可能造成误动作,必须设置一个盲区时间,在此时间内短路保护电路是不工作的。

伟德betvlctor最新版本生产的IGBT用NTC热敏芯片,其电阻值随温度升高而降低。利用这一特点,NTC热敏芯片能在IGBT模块中起到温度监测和温度控制的作用。





参考资料:

电力电子技术与新能源《大功率IGBT驱动的技术特点及发展趋势分析》

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