由NTC热敏电阻芯片作为核心,采取不同封装形式构成的热敏电阻被广泛应用于温度探测、温度补偿和温度控制电路，其在电路中起到将温度的变量转化成所需的电子信号的核心作用。由于电子设备高精度温度探测、温度控制的需要，对NTC热敏电阻的R电阻值、B值的精度和稳定性提出了越来越高的要求。

现有的NTC热敏电阻芯片一般采用以下工艺流程进行生产：热敏半导体陶瓷粉末制备——单个成型——烧结——烧渗电极——电阻率测试。该工艺过程是直接由热敏半导体陶瓷粉末直接制成单个的NTC热敏电阻芯片，并在热敏电阻的两端部烧渗端电极。

该工艺技术在陶瓷粉料配方已经确定的情况下，单个NTC热敏电阻芯片的电性能取决于产品的几何尺寸和烧结工艺对电性能影响。由于半导体陶瓷材料受烧结工艺参数的烧结温度、炉腔气氛等条件影响较大，使得现有的NTC热敏电阻芯片制造工艺技术存在了两个明显的不足： 

一、阻值精度低。现有技术制成的产品电气性能定型于烧结工艺，烧结、烧渗电极后的阻值分散且不能调节，批量生产中R25阻值精度一般在±5％内、B值(NTC热敏电阻的材料常数)在±3％内，无法满足高精度要求。 

二、稳定性差。制成后的NTC热敏电阻芯片的两电极间的半导体陶瓷体裸露，在潮气、盐雾、空气氧化、腐蚀性气体等恶劣环境中很容易造成半导体陶瓷和金属电极间的老化，从而形成电气性能的漂移。电性能在高温老化1000小时后漂移量达到3％，这远远超出高精度测温应用场合中要求的R电阻值及B值0.3％的精度要求。 

现提供一种高精度NTC热敏电阻芯片制作方法《高精度NTC热敏电阻芯片的制作-2》，能较好地实现高精度，拥有高可靠性。使用此方法生产的NTC热敏电阻芯片，高精度产品(±0.5％)的命中率会有非常大的提高，产品的稳态湿热性，高温负荷变化率及热冲击变化率小。